DRAM (dynamic random-access memory)

Toán & tin

DRAM

Giải thích VN: Một loại chip nhớ truy cập ngẫu nhiên ( RAM), biểu hiện các trạng thái nhớ bằng những tụ tích trữ điện tích. Vì các tụ điện này thường xuyên bị mất điện tích của mình, cho nên các chip DRAM phải được "làm tươi" lại liên tục (vì vậy gọi là "động).///Các chip RAM động với thời gian truy cập khác nhau -đó là tốc độ mà đơn vị xử lý trung tâm có thể thu được các thông tin chứa trong chúng. Thời gian truy cập này được tính bằng nanôgiây (phần tỷ của giây); một chip được ghi dấu là 12 chẳng hạn, thì có nghĩa thời gian truy cập của nó là 120 nanôgiây. Thời gian truy cập này có vẻ là nhanh, những thực ra một bộ vi xử lý tầm thường loại 386 - 25 MHz (dĩ nhiên nói một cách tương đối) hoàn thành một chu kỳ xử lý chỉ mất 80 nanôgiây - rõ ràng DRAM không đáp ứng về tốc độ. Hơn thế nữa, các chip DRAM còn phải mất thời gian nạp điện giữa các lần truy cập, nên chu kỳ làm việc của những chip 120 nanôgiây này còn phải lâu gấp đôi.

RAM động

Giải thích VN: Một loại chip nhớ truy cập ngẫu nhiên ( RAM), biểu hiện các trạng thái nhớ bằng những tụ tích trữ điện tích. Vì các tụ điện này thường xuyên bị mất điện tích của mình, cho nên các chip DRAM phải được "làm tươi" lại liên tục (vì vậy gọi là "động).///Các chip RAM động với thời gian truy cập khác nhau -đó là tốc độ mà đơn vị xử lý trung tâm có thể thu được các thông tin chứa trong chúng. Thời gian truy cập này được tính bằng nanôgiây (phần tỷ của giây); một chip được ghi dấu là 12 chẳng hạn, thì có nghĩa thời gian truy cập của nó là 120 nanôgiây. Thời gian truy cập này có vẻ là nhanh, những thực ra một bộ vi xử lý tầm thường loại 386 - 25 MHz (dĩ nhiên nói một cách tương đối) hoàn thành một chu kỳ xử lý chỉ mất 80 nanôgiây - rõ ràng DRAM không đáp ứng về tốc độ. Hơn thế nữa, các chip DRAM còn phải mất thời gian nạp điện giữa các lần truy cập, nên chu kỳ làm việc của những chip 120 nanôgiây này còn phải lâu gấp đôi.